|
|
| 力旺導入聯電28奈米HV製程 攻OLED市場 |
 |
|
【記者柯安聰台北報導】力旺電子（3529）20日宣佈一次可編程（OTP）記憶體矽智財NeoFuse已成功導入聯電28奈米高壓（HV）製程，強攻有機發光二極體（OLED）市場，關鍵客戶已經完成設計定案（Tape Out）並準備量產。
高階手機配備OLED顯示器已然成為趨勢，對小尺寸顯示器驅動晶片（SDDI）效能要求亦更高，這樣的需求也顯示在製程平台的選擇上，OLED關鍵客戶逐漸從55奈米或40奈米往更先進的28奈米高壓製程靠攏。
28奈米高壓製程可使高效能顯示器引擎的複雜運算能力發揮最大功能，提供OLED顯示器驅動晶片更快的資料存取速度，更高容量的靜態隨機存取記憶體（SRAM）及更好的功耗，同時達到高畫質與省電的目的。
聯電在2019年的小尺寸顯示器驅動晶片（SDDI）量產晶圓出貨量為全球之冠，其28奈米後閘式（Gate-Last）HKMG製程具備優越管理漏電功耗與動態功率表現，可以提升行動裝置的電池壽命，以此為基礎，其28奈米高壓製程提供業界最小的靜態隨機存取記憶體（SRAM）記憶單位（Bit-cell）以減少晶片整體面積。
力旺是世界領導之邏輯非揮發性記憶體矽智財廠商，其NeoFuse矽智財為各種類型之應用提供低功耗、高可靠度、高安全性之解決方案，廣泛佈建於世界各大晶圓廠，從0.15um製程至先進製程節點均已佈建，未來也將繼續與晶圓廠緊密合作，為客戶創造最大利潤與價值。（自立電子報2020/1/20）
|
|
